磁控濺射鍍膜機(jī)在磁控濺射中，由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力，運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng)，其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng)，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向。

　　另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量，同時(shí)，經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽極時(shí)，已變成低能電子，從而不會(huì)使基片過熱。

　　射頻磁控濺射相對(duì)于直流磁控濺射的主要優(yōu)點(diǎn)是，它不要求作為電極的靶材是導(dǎo)電的。因此，理論上利用射頻磁控濺射可以濺射沉積任何材料，由于磁性材料對(duì)磁場(chǎng)的屏蔽作用，濺射沉積時(shí)它們會(huì)減弱或改變靶表面的磁場(chǎng)分布，影響濺射效率，磁性材料的靶材需要特別加工成薄片，盡量減少對(duì)磁場(chǎng)的影響。

　　電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出正離子和新的電子；新電子飛向基片，離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。

　　在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子借助于靶表面上形成的正交電磁場(chǎng)，被束縛在靶表面特定區(qū)域，增強(qiáng)電離效率，增加離子密度和能量，從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射，是制備低維度，小尺寸納米材料器件的實(shí)驗(yàn)手段，廣泛應(yīng)用于集成電路，光子晶體，低維半導(dǎo)體等領(lǐng)域。

　　磁控濺射鍍膜機(jī)是一款小型磁控濺射鍍膜儀，主要特點(diǎn)是設(shè)備體積小，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊易于操作，對(duì)實(shí)驗(yàn)室供電要求低，從而提高設(shè)備的穩(wěn)定性；另外自主開發(fā)的智能操作系統(tǒng)在設(shè)備的運(yùn)行重復(fù)性及安全性方面得到更好地保障。該設(shè)備標(biāo)配2只2英寸永磁靶，一臺(tái)500W直流濺射電源（用于濺射金屬導(dǎo)電材料），1臺(tái)300W全自動(dòng)匹配射頻濺射電源（用于濺射絕緣材料），主要用來開發(fā)納米級(jí)單層及多層的金屬導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜以及絕緣膜等。

　　設(shè)備集成度高，結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，可以放置于實(shí)驗(yàn)桌面上即可；通過更換設(shè)備上下法蘭可以實(shí)現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用；可將主機(jī)置于手套箱內(nèi)，水、電、氣等通過4個(gè)接口接到手套箱外，與手套箱的對(duì)接靈活方便。