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磁控濺射鍍膜機(jī)廣泛應(yīng)用于眾多領(lǐng)域

更新時(shí)間:2021-06-23      點(diǎn)擊次數(shù):963
  磁控濺射鍍膜機(jī)在磁控濺射中,由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力,運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng),其運(yùn)動(dòng)路徑變長,因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù),使等離子體密度增大,從而磁控濺射速率得到很大的提高,而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作,降低薄膜污染的傾向。
  另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量,因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量,同時(shí),經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽極時(shí),已變成低能電子,從而不會(huì)使基片過熱。
  射頻磁控濺射相對(duì)于直流磁控濺射的主要優(yōu)點(diǎn)是,它不要求作為電極的靶材是導(dǎo)電的。因此,理論上利用射頻磁控濺射可以濺射沉積任何材料,由于磁性材料對(duì)磁場(chǎng)的屏蔽作用,濺射沉積時(shí)它們會(huì)減弱或改變靶表面的磁場(chǎng)分布,影響濺射效率,磁性材料的靶材需要特別加工成薄片,盡量減少對(duì)磁場(chǎng)的影響。
  電子在電場(chǎng)E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出正離子和新的電子;新電子飛向基片,離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。
  在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子借助于靶表面上形成的正交電磁場(chǎng),被束縛在靶表面特定區(qū)域,增強(qiáng)電離效率,增加離子密度和能量,從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射,是制備低維度,小尺寸納米材料器件的實(shí)驗(yàn)手段,廣泛應(yīng)用于集成電路,光子晶體,低維半導(dǎo)體等領(lǐng)域。
  磁控濺射鍍膜機(jī)是一款小型磁控濺射鍍膜儀,主要特點(diǎn)是設(shè)備體積小,結(jié)構(gòu)簡單緊湊易于操作,對(duì)實(shí)驗(yàn)室供電要求低,從而提高設(shè)備的穩(wěn)定性;另外自主開發(fā)的智能操作系統(tǒng)在設(shè)備的運(yùn)行重復(fù)性及安全性方面得到更好地保障。該設(shè)備標(biāo)配2只2英寸永磁靶,一臺(tái)500W直流濺射電源(用于濺射金屬導(dǎo)電材料),1臺(tái)300W全自動(dòng)匹配射頻濺射電源(用于濺射絕緣材料),主要用來開發(fā)納米級(jí)單層及多層的金屬導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜以及絕緣膜等。
  設(shè)備集成度高,結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小,可以放置于實(shí)驗(yàn)桌面上即可;通過更換設(shè)備上下法蘭可以實(shí)現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換,實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用;可將主機(jī)置于手套箱內(nèi),水、電、氣等通過4個(gè)接口接到手套箱外,與手套箱的對(duì)接靈活方便。
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