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基質(zhì)輔助脈沖激光沉積鍍膜系統(tǒng)

簡要描述:基質(zhì)輔助脈沖激光沉積鍍膜系統(tǒng)The polymer material will then deposit on the substrate while the solvent will be pumped away (if you choose the correct solvent).

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2025-02-27
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詳細(xì)介紹

品牌其他品牌應(yīng)用領(lǐng)域能源,電子/電池,電氣,綜合

基質(zhì)輔助脈沖激光沉積鍍膜系統(tǒng)

儀器簡介:
中科院寧波材料所于2014年1月向我司訂購一臺MAPLE系統(tǒng),該系統(tǒng)為*臺“基質(zhì)輔助脈沖激光沉積系統(tǒng)"!


基質(zhì)輔助脈沖激光沉積鍍膜系統(tǒng)MAPLE處理過程
在MAPLE工藝中,聚合物/溶劑混合物用液氮凍結(jié)在沉積室內(nèi)。然后,冷凍混合物作為入射脈沖激光束的目標(biāo)。使用脈沖激光,一小部分冷凍目標(biāo)將在非常短的時(shí)間內(nèi)蒸發(fā),將混合物扔進(jìn)氣相。聚合物材料隨后沉積在基板上,而溶劑將被泵走(如果你選擇正確的溶劑)。這一過程已被用于成功地沉積各種各樣的聚合物材料。

激光器

最初的MAPLE工作使用激光器,但是IR激光器提供更好的聚合物薄膜質(zhì)量。原因是激光器的每光子能量在5 eV以上的248 nm(KrF)處工作。這足以破壞聚合物鏈并降低沉積的聚合物材料的功能性。MAPLE系統(tǒng)使用Er:YAG激光器,工作在2.9微米,每個(gè)光子只有大約0.3eV的能量。因此,聚合物的功能性保持完整,因?yàn)榫酆衔镦湶槐坏湍芄庾訑嗔选?span style="font-family:arial,helvetica,sans-serif">.

樣品注入

MAPLE系統(tǒng)采用*的注射工藝,在清洗了水蒸氣室之后,使聚合物/溶劑混合物原位凍結(jié)。我們的MAPLE系統(tǒng)利用快速目標(biāo)冷卻和快速目標(biāo)加熱組件來加大吞吐量。我們的旋轉(zhuǎn)目標(biāo)組件與冷卻塊進(jìn)行良好的熱接觸  

腔體設(shè)計(jì)



系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo):
最大襯底尺寸
One 2-inch diameter substrate or multiple small samples. Larger substrates and custom substrate holders are available on request.

最大襯底溫度:300°C typical, but other heaters are available.
MAPLE靶材溫度: -194°C (80 K)
壓力操作范圍:Base pressure depends strongly on polymer/solvent mix and the solvent vapor pressure
MAPLE靶材尺寸:Single 1.5" diameter target standard, larger targets available on request.
靶材到襯底(Throw) 距離:Variable from 2.5 to 4 inches
光柵路徑長度:Across complete MAPLE target
標(biāo)準(zhǔn)的激光束射向靶材入射角度:60°
主腔體本底真空:P < 5 x 10-7 Torr guaranteed with system at room temperature and no polymer/solvent mix.
真空腔體:Box style chamber with easy substrate / target changes.
激光波長:2.9 microns (Er:YAG laser), other lasers/wavelengths available on request.

VIS/NIR Resonant PLD/MAPLE 處理過程

這個(gè)過程使用倍頻Nd:YAG激光器泵浦OPO。OPO的輸出范圍約為680~2400 nm,脈沖長度為幾ns。在VIS中,每個(gè)脈沖的能量在波長范圍從120mJ變化很大,而在IR中則下降到15mj。通過調(diào)諧激光器的波長,用戶可以耦合到特定材料的振動帶,從而提供到目標(biāo)材料的非常強(qiáng)的耦合。這可以產(chǎn)生很高的沉積速率,特別是對于聚合物材料的目標(biāo)損傷小。這個(gè)過程也可以和MpPialGART一起使用。



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