反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備(美國產(chǎn)，高性價(jià)比)

儀器簡介：
應(yīng)用：
-聚合物或光阻的等溫各向同性干刻
-硅片或玻璃表面清潔
-硅表面氧化去除

反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備(美國產(chǎn)，高性價(jià)比)技術(shù)參數(shù)：
配置，隨機(jī)附件、備品備件：
（1）6英寸水冷樣品臺(tái)
（2）200瓦射頻發(fā)生器和手動(dòng)匹配器，watt RF Generator and manual matching network
(3) 雙數(shù)字讀取前端和反射功率 ，Dual digital readout of forward and reflected power
(4) 雙氣體控制，Dual gas controls
(5) 獨(dú)立的排空控制，Separate vent control
(6) 石英腔體，Quartz chamber
(7) 直流偏壓表顯示，DC bias meter display
(8) 數(shù)字時(shí)間計(jì)時(shí)器， Digital termination timer
(9) 射頻防護(hù)，RF shield
(10)  分子泵，Turbo pump
(11) 耐腐蝕羅茨機(jī)械泵，Corrosive series rotary vane roughing pump
(12) 電容壓力真空規(guī)，Capactiance manometer
(13) 不銹鋼氣體分樣環(huán)， Stainless steel gas distribution ring
(14)質(zhì)量流量計(jì)，Mass Flow Controller
（15）產(chǎn)品詳細(xì)的英文操作、維護(hù)指南1套

技術(shù)性能指標(biāo):
（1）真空: 真空可以達(dá)到10^-6 Torr,所用的渦輪分子泵轉(zhuǎn)速為70轉(zhuǎn)/秒。工作時(shí)氣壓可達(dá)10^-3 Torr以上。
（2）氣體輸送: 兩個(gè)通道,均采用不銹鋼材料,內(nèi)置氣體噴淋；
（3）系統(tǒng)排空: 獨(dú)立自鎖螺線管路,和氮?dú)饪谙噙B；
（4）射頻電源: 功率為0-200瓦，可任意調(diào)節(jié)；高頻電場頻率為13.56 MHz,手動(dòng)調(diào)節(jié),空氣冷卻；
（5）刻蝕處理時(shí)間: 單次刻蝕時(shí)間可達(dá)到100小時(shí), 可自行設(shè)定終止時(shí)間；
（6）刻蝕速率：對(duì)氧化物每分鐘20納米，對(duì)氮化物每分鐘50納米；各類材料刻蝕均勻性<±5% （4寸圓片，49點(diǎn)測(cè)量），刻蝕速率片間穩(wěn)定性<5%
（7）真空腔體: 石英材料, 外徑8英寸，高4英寸；
（8）真空表頭:前端屏幕數(shù)值顯示；
（9）氣體控制: 兩個(gè)獨(dú)立的針閥,具有安全自鎖功能；
（10）樣品臺(tái): 可放置直徑6英寸以下的樣品，具有水冷功能