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原子層沉積鍍膜系統(tǒng)1.ALD （傳統(tǒng)的熱原子層沉積）； 2.PEALD （等離子增強原子層沉積）； 3.Powder ALD （粉末樣品的原子層沉積）；

臺式磁控濺射鍍膜儀$n該系統(tǒng)可以作為以下功能裝置：$n1，研發(fā)級R&D鍍膜設備，性能優(yōu)異$n2，具備所有研發(fā)級別的鍍膜要求$n3，高效的沉積速率，鍍膜時間快$n4， 實驗室中培訓的工具

金屬有機化學氣相沉積鍍膜系統(tǒng)（MOCVD） 其反應器的設計可以根據(jù)工藝的需要很容易提升到滿足大直徑晶片生產(chǎn)的需要。我們也能為客戶設計以滿足客戶特殊工藝和應用的需要。系統(tǒng)部件包括：反應器、氣體傳輸系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng)。

超高真空多功能薄膜制備系統(tǒng)此系統(tǒng)可以配置多種沉積方式（預留各種功能接口）,高度靈活,非常適合多種沉積模式的科研. 高真空條件沉積模式（使用機械泵+分子泵，或冷凝泵）。多種組合沉積模式，同一腔體實現(xiàn)多種功能沉積方式

有機分子束沉積鍍膜系統(tǒng) 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延MBE、有機分子束沉積OMBD、等離子增強化學氣相淀積系統(tǒng)PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等

在線量產(chǎn)型磁控濺射鍍膜系統(tǒng) 高轉(zhuǎn)換效率 大容量吸收，電池可靠性長達10年 抗輻射

離子束刻蝕設備 離子拋光 離子清洗 等離子體灰化 等離子體氧化、氮化 表面改性 反應刻蝕 生物醫(yī)藥 傳感器

PECVD+RIE等離子體增強化學氣相沉積設備 該系統(tǒng)中的PECVD可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學薄膜等。標準配置射頻（RF），可選用空陰*密度等離子體（HCD）源、感應耦合等離子體（ICP）源。大沉積尺寸為8英寸。