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熱舟蒸發(fā)源-真空組件 應(yīng)用范圍： 薄層沉積； 光學(xué)涂覆； 混合層沉積； 金屬電極接觸。

俄歇電子能量譜-真空組件 俄歇電子能量譜是一種利用高能電子束為激發(fā)源的表面分析技術(shù). AES分析區(qū)域受激原子發(fā)射出具有元素特征的俄歇電子。俄歇電子在固體中運(yùn)行也同樣要經(jīng)歷頻繁的非彈性散射，

等離子體原子/離子源-真空組件 產(chǎn)生感應(yīng)耦合等離子體,包括氮?dú)?氧氣和氫氣等分子氣體。使用1個(gè)射頻線圈（頻率13.56MHz）,能量將轉(zhuǎn)化為等離子體，這會(huì)產(chǎn)生僅具有低離子能量的”軟”等離子體。 我司提供的這款電子束蒸發(fā)源是由高質(zhì)量，*與高真空兼容材料構(gòu)成，并且可以烘烤至250℃。

半球型電子能量分析譜-真空組件 大型高透射半球形電子能量分析譜--120mm半徑. ¨ 全程180度反轉(zhuǎn)角度. ¨ 邊緣界線區(qū)域校正--使用Jost電極.

電子束蒸發(fā)源-真空組件 電子束蒸發(fā)源對于使用常用熱蒸發(fā)技術(shù)非常難蒸發(fā)的材料,電子束蒸發(fā)是一種有效的蒸發(fā)手段.通過高能電子束射向靶材來升高靶材溫度.相比于通常輻射或間接電阻加熱方式,使用這種方式來達(dá)到溫度沒有本質(zhì)的限制。

磁控濺射靶源-真空組件 我司提供的磁控濺射源是目前一和超高真空系統(tǒng)（1e-11torr）匹配的商業(yè)用濺射源。 在不配置彈性墊圈的結(jié)構(gòu)中，可烘烤至250℃。在匹配的超高真空環(huán)境下，可以實(shí)現(xiàn)超高純度的濺射沉積。

IIG2離子源-超高真空 典型應(yīng)用是氬離子濺射清洗表面（中科院物理所配置多套IG2型離子源） 濺射清洗 /表面準(zhǔn)備，用于表面科學(xué)， MBE ，高真空濺射過程 離子輔助沉積 離子束濺射鍍膜 反應(yīng)離子刻蝕

真空腔體水氣解吸附組件 Zcuve是近年來上較多使用的水蒸氣解吸技術(shù)。*的設(shè)計(jì)可從2.75“擴(kuò)展到8”法蘭尺寸，具有比例較高的紫外線功率因數(shù)